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半导体行业正濒临着升迁贪图智力、减小芯片尺寸和裁减功耗的三重挑战。为了知足这些需求欧保体育官方入口，科学家们必须卓绝传统硅材料，寻找稳妥不休增长的贪图需求的材料。

西蒙斯晒出的训练照中，自己双臂的肌肉较之前有了明显提升，一些球迷本以为西蒙斯最近的训练非常有成果，可不曾想一位球迷发现了训练师的原图，拆穿了西蒙斯的P图小把戏。

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大名单如下: 前锋: 埃德蒙松（SK贝弗伦），克莱明特.奥尔森（布雷达比利松），奥尔森（米约恩达伦），彼得.克努森（灵比），阿格纳松（B36托尔斯港）； 中场: 拉多萨夫列维奇（斯莱戈流浪者），安德烈亚松（克拉克斯维克），比亚尔塔利德（腓特烈斯塔），米克尔森（克拉克斯维克），约恩森（克拉克斯维克），安德尔斯.约翰森（B36托尔斯港），阿里.约翰森（托尔斯港），瓦滕哈马尔（戈塔维京古）； 后卫: 巴尔德温松（布莱尼），哈努斯.瑟伦森（托尔斯港），瑟伦森（Fcs罗伊），大卫森（托尔斯港），纳特斯特塔（B36托尔斯港），法雷（克拉克斯维克），瓦特斯达尔（克拉克斯维克），瓦廷哈马尔（维京古）； 门将: 特特尔.吉斯松（托尔斯港），兰海于格（B36托尔斯港），雷纳特罗德（戈塔维京人）。

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尽管在不久的将来，新2开户咱们不太可能王人备毁掉硅，但本领规模需要在芯片材料和架构上进行篡改，以出产稳妥日益增长的贪图需求的树立。

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硅的一个主要放肆是其三维性质，它放肆了芯片的尺寸和功耗。为了冲破这个放肆，科学家们一直在寻找二维半导体，即极端薄的材料，不错提供更精准的电流限度并减少动力耗尽。

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可是，直到最近，制造这些材料都遭受了贫困。某些二维半导体需要极高的温度才能制备，这可能会损坏底层的硅芯片。其他二维材料可能不错在硅友好的温度下制备，但它们的电子性能不及。还有一些顺应温度和性能的条款，但无法在工业程序尺寸下助长到裕如的纯度。

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现时，宾夕法尼亚大学的商议东谈主员仍是奏凯地将高性能的二维半导体发展成工业景色的晶圆。况且，这种半导体材料硒化铟（InSe）不错在裕如低的温度下与硅芯片集成。

这项商议是由电气与系统工程系（ESE）副老师兼Peter and Susanne Armstrong特出学者Deep Jariwala和ESE博士后Seunguk Song开发的，该商议最近发表在《Matter》杂志上。

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这一冲破的关节在于怎样克服InSe原子结构的复杂性。永远以来，InSe被以为是先进贪图芯片的有但愿的材料，因为它好像很好地传导电荷。但出产裕如大面积的InSe薄膜一直是一项挑战，因为铟和硒的化学性质使它们倾向于以不同的分子比例衔尾，从而毁伤其纯度。

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商议团队使用了一种称为“垂直金属有机化学气相千里积”（MOCVD）的助长本领，以终了高纯度的InSe。与昔日的要领不同，该本领通过策动发送铟并脉冲引入硒，以确保元素比例保合手在精准的50:50。这种要领有用地幸免了不良化学结构的造成。

除了高纯度，该团队还好像限度和对王人材料中晶体的标的，从而升迁半导体的质料。

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这一冲破将有望激动半导体行业迈向新的高度，为异日的贪图树立带来更多可能性。